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锴威特 股票详细信息
涨停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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暂无数据 |
跌停原因
日期 | 时间 | 事件 | 原因 |
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2024-02-05 | 10:51:37 | 曾跌停 | 个股调整 |
所属概念
加入时间 | 获得概念 | 入选原因 |
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2023-08-29 | 不可减持(新规) | 公司近20个交易日内跌破发行价,依照减持新规,不可减持。 |
2021-08-13 | 专精特新 | 公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单。 |
2020-09-07 | 第三代半导体 | 公司在第三代半导体器件方面,利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。 |
2019-08-21 | QFII新进 | 2024-03-31QFII(1家)新进十大流通股东并持有13.49万股(0.18%) |
2019-08-16 | 高融资盘 | 截止2024-05-13,公司融资余额占流通市值比例为:10.36% |
2019-06-29 | 境外知名投行持股 | 截止2024-03-31,UBS AG在十大流通股东中排第4名 |
2018-02-28 | 破发行价 | 截止2024-05-14,公司收盘价相对于发行价(前复权)跌幅为:-45.95% |
2017-12-19 | 次新超跌 | 截止2024-05-14收盘价距上市以来最高价跌幅已达-77.25% |
2017-05-16 | 江苏板块 | 公司注册地址:江苏省张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室 |
2017-05-16 | 微盘股 | 截止2024-05-14公司AB股总市值为:16.26亿元 |
2015-05-26 | 次新股 | 公司于2023-08-18在上交所科创板上市 |
2013-05-31 | 碳化硅 | 公司在第三代半导体器件方面,利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。 |
2011-03-09 | 芯片 | 公司的功率器件以平面MOSFET为主,平面MOSFET产品包括集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 |